器件采用PowerPAK? SO-8單體封裝,柵極電荷為52 nC,輸出電荷為68 nC均達到同類產(chǎn)品最佳水平
2019年2月21日,日前Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出新款6.15 mm x 5.15 mm PowerPAK SO-8單體封裝的60 V TrenchFET 第四代 n溝道功率MOSFET---SiR626DP。Vishay Siliconix SiR626DP專門用于提高功率轉(zhuǎn)換拓撲結(jié)構(gòu)的效率,導(dǎo)通電阻比前代器件降低36%,同時柵極電荷和輸出電荷達到同類產(chǎn)品最低水平。
日前發(fā)布的器件10 V條件下最大導(dǎo)通電阻降至1.7 mW,柵極電荷僅為52 nC,輸出電荷為68 nC,COSS為992 pF。在功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中,這款MOSFET的柵極電荷與導(dǎo)通電阻乘積和輸出電荷與導(dǎo)通電阻乘積優(yōu)值系數(shù) (FOM) 分別比前代器件降低32 %和45 %。MOSFET的COSS降低69 %。
SiR626DP改進了技術(shù)規(guī)格,經(jīng)過調(diào)校最大限度降低導(dǎo)通和開關(guān)損耗。器件提高了AC/DC拓撲結(jié)構(gòu)同步整流,隔離式DC/DC拓撲結(jié)構(gòu)原邊和副邊開關(guān)效率,適用于太陽能微型逆變器和通信、服務(wù)器、醫(yī)療設(shè)備電源、電動工具和工業(yè)設(shè)備電機驅(qū)動控制、電池管理模塊的電池切換。
MOSFET經(jīng)過100% RG和UIS測試,符合RoHS標(biāo)準(zhǔn),無鹵素。
SiR626DP現(xiàn)可提供樣品并已實現(xiàn)量產(chǎn)。產(chǎn)品供貨周期為30周,視市場情況而定。 |